【摘要】 一种结合气隙和金属-氧化物-金属(MOM)电容器的集成电路结构被揭示。集成电路结构包括：半导体衬底；覆盖在半导体衬底之上的第一金属化层；在第一金属化层中的第一金属结构；覆盖在第一金属化层之上的第二金属化层；在第二金属化层中的第二金属结构，其中，第一和第二金属结构为非电容器结构；MOM电容器，它在第一和第二金属化层中的至少一个中具有一个区域；和，在第一金属化层中的、在第一金属结构之间的一个气隙。 【专利类型】发明授权 【申请人】台湾积体电路制造股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810192971.5 【申请日】2008-12-31 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101533838B 【公开公告日】2010-09-01 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101533838B 【授权公告日】2010-09-01 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L27/04; H01L23/522 【发明人】张家龙; 叶名世; 陈家逸; 鲁定中 【主权项内容】一种集成电路结构，包括：半导体衬底；覆盖在所述半导体衬底之上的第一金属化层；在第一金属化层中的第一金属结构；覆盖在所述第一金属化层之上的第二金属化层；在所述第二金属化层中的第二金属结构，其中，所述第一和第二金属结构为非电容器结构；金属-氧化物-金属MOM电容器，它在第一和第二金属化层的至少一个中具有第一区域；和在第一金属化层中的、在第一金属结构之间的第一气隙。 【当前权利人】台湾积体电路制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹 【被引证次数】5 【被他引次数】5.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】39
