【摘要】 本发明公开了一种硅槽形成方法及装置，属于半导体集成电路芯片工艺 技术领域。所述方法包括：在硅衬底上生长硬掩膜层；在硬掩膜层表面涂覆 光刻胶层，经过光刻工艺得到光刻胶图形；刻蚀硬掩膜层，复制光刻胶图形 到硬掩膜层；在HBr流量为40～45SCCM、CF4流量为5～7SCCM、He-O2混合 气体流量为5～7SCCM的条件下，向硅衬底刻蚀设备中通入HBr、CF4和He-O2 混合气体刻蚀硅衬底，形成硅槽。上述方法及装置主要应用在硅衬底的刻蚀 方面；既能够提高安全性，又能够降低HBr的消耗，降低设备的维护成本，并 节约混合气体的综合消耗成本。 【专利类型】发明授权 【申请人】北大方正集团有限公司; 深圳方正微电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100871北京市海淀区成府路298号方正大厦5层 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810106025.4 【申请日】2008-05-07 【申请年份】2008 【公开公告号】CN100595895C 【公开公告日】2010-03-24 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN100595895C 【授权公告日】2010-03-24 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/308; H01L21/3065; C23F1/12; C23F1/08; C23F4/00 【发明人】王托猛; 蔡新春; 谢海华; 杨勇 【主权项内容】1、一种硅槽形成方法，其特征在于，包括： 在硅衬底上生长硬掩膜层； 在硬掩膜层表面涂覆光刻胶，经过光刻工艺得到光刻胶图形； 刻蚀硬掩膜层，复制光刻胶图形到硬掩膜层； 在HBr流量为40～45SCCM、CF4流量为5～7SCCM、He-O2混合气体流量 为5～7SCCM的条件下，向硅衬底刻蚀设备中通入HBr、CF4和He-O2混合气体， 对硅衬底进行刻蚀，形成硅槽； 所述He-O2混合气体为He和O2混合之后的气体。 【当前权利人】深圳方正微电子有限公司 【当前专利权人地址】广东省深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路5号方正微电子工业园 【专利权人类型】其他有限责任公司; 有限责任公司(法人独资) 【统一社会信用代码】91110108101974963M; 91440300755682249E 【引证次数】4.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】16
