【摘要】 本发明涉及一种发光二极管，其包括：一基底；一有源层设置于所述基底的表面，该有源层包括一第一半导体层、一第二半导体层以及一活性层，该活性层设置于第一半导体层与第二半导体层之间；一第一电极、第二电极设置于所述有源层的表面，并分别与第一半导体层、第二半导体层电连接；以及至少一透明导电层，该至少一透明导电层覆盖至少部分所述有源层，并与所述第一电极及第二电极中的至少一个电极电连接。其中，所述透明导电层为碳纳米管结构。 【专利类型】发明申请 【申请人】清华大学; 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 【申请人类型】企业,学校 【申请人地址】100084 北京市海淀区清华园1号清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810217913.3 【申请日】2008-11-28 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752477A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L33/00 【发明人】李群庆; 姜开利; 范守善 【主权项内容】一种发光二极管，其包括：一基底；一有源层设置于所述基底的表面，该有源层包括一第一半导体层、一第二半导体层以及一活性层，该活性层设置于该第一半导体层与该第二半导体层之间；一第一电极与一第二电极分别设置于所述有源层的表面，并分别与所述第一半导体层、所述第二半导体层电连接；以及至少一透明导电层，该至少一透明导电层覆盖至少部分所述有源层，并与所述第一电极及第二电极中的至少一个电极电连接；其特征在于：所述至少一透明导电层包括一碳纳米管结构。 【当前权利人】清华大学; 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华园1号清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室; 广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号 【专利权人类型】公立; 有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】12100000400000624D; 914403007084307436 【引证次数】8.0 【被引证次数】7 【自引次数】8.0 【被自引次数】5.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】60.0 【家族被引证次数】54
