【摘要】 本发明公开了一种有机场效应晶体管及其制备方法。该有机场效应晶体管，包 括衬底、位于所述衬底上的栅电极、位于所述栅极电极上的绝缘层、位于所述绝缘 层上的由聚合物和偶极分子组成的共混物层、位于所述聚合物和偶极分子共混物层 上的有机半导体层以及位于所述有机半导体层上的源电极和漏电极。本发明的有机 场效应晶体管通过控制聚合物-偶极分子修饰层中偶极分子的偶极矩大小来控制导 电沟道的性质，可调控有机场效应晶体管的迁移率；可以任意改变聚合物-偶极分 子修饰层和有机半导体层的组成，易于构筑高迁移率场效应晶体管；在高迁移率有 机效应晶体管的制备和高性能有机半导体逻辑门和集成电路中有应用价值。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院化学研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100080北京市海淀区中关村北一街2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810118129.7 【申请日】2008-08-12 【申请年份】2008 【公开公告号】CN100593871C 【公开公告日】2010-03-10 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN100593871C 【授权公告日】2010-03-10 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L51/05; H01L51/30; H01L51/40 【发明人】刘云圻; 吴卫平; 王鹰; 于贵; 朱道本 【主权项内容】1、一种有机场效应晶体管，包括衬底、位于所述衬底上的栅电极、位于所述 栅极电极上的绝缘层、位于所述绝缘层上的由聚合物和偶极分子组成的共混物层、 位于所述聚合物和偶极分子共混物层上的有机半导体层以及位于所述有机半导体 层上的源电极和漏电极； 所述聚合物为聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯或聚碳酸酯；所述偶极分子为尿素 或二硫代草酰胺。。 【当前权利人】中国科学院化学研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区中关村北一街2号 【统一社会信用代码】12100000400012238A 【引证次数】3.0 【自引次数】1.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】12
