【摘要】 一种在本征砷化镓表面温度77K以下实现欧姆接触的方法，其特征在 于，包括以下步骤：步骤1：在制备好的GaAs基片上进行涂胶、均胶、前 烘、光刻、显影；步骤2：将显影后的GaAs基片置入氧离子轰击炉中，对 基片轰击；步骤3：将轰击后的基片浸入semico-clean-23溶液，时间2 分钟；步骤4：用去离子水冲洗基片，并用温氮气吹干；步骤5：再将基 片浸入1∶1的盐酸溶液中5秒后，用去离子水冲洗基片，并用温氮气吹 干；步骤6：将基片放入金属蒸发炉内，并立即对蒸发炉系统开始抽真空， 在基片上淀积金属；步骤7：将基片从金属蒸发炉中取出，用丙酮进行剥 离，经乙醇、去离子水清洗后，用温氮气吹干；步骤8：将淀积完金属的 基片退火，完成制作。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院半导体研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100083北京市海淀区清华东路甲35号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810119798.6 【申请日】2008-09-10 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101673675A 【公开公告日】2010-03-17 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101673675B 【授权公告日】2011-07-20 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L21/28; H01L21/02 【发明人】谈笑天; 郑厚植; 刘剑; 杨富华 【主权项内容】1.一种在本征砷化镓表面温度77K以下实现欧姆接触的方法，其特 征在于，包括以下步骤： 步骤1：在制备好的GaAs基片上进行涂胶、均胶、前烘、光刻、显影； 步骤2：将显影后的GaAs基片置入氧离子轰击炉中，对基片轰击； 步骤3：将轰击后的基片浸入semico-clean-23溶液，时间2分钟； 步骤4：用去离子水冲洗基片，并用温氮气吹干； 步骤5：再将基片浸入1∶1的盐酸溶液中5秒后，用去离子水冲洗基 片，并用温氮气吹干； 步骤6：将基片放入金属蒸发炉内，并立即对蒸发炉系统开始抽真空， 在基片上淀积金属； 步骤7：将基片从金属蒸发炉中取出，用丙酮进行剥离，经乙醇、去 离子水清洗后，用温氮气吹干； 步骤8：将淀积完金属的基片退火，完成制作。 【当前权利人】中国科学院半导体研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华东路甲35号 【统一社会信用代码】12100000400012385U 【被引证次数】3 【被他引次数】3.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】3
