【摘要】 本发明公开了一种制备过孔的方法，包括：在绝缘衬底上涂敷光刻胶；光刻得到栅电极图形；电子束蒸发或者PECVD沉积金属电极；用丙酮剥离不需要的金薄膜得到器件的栅电极图形；在栅电极上匀胶后再次光刻得到过孔图形；电子束蒸发过孔金属；剥离后再淀积栅介质材料；再次光刻得到栅介质上互连线的胶图形；电子束蒸发连线金属，剥离后实现栅介质上下导线的互连。本发明省掉了刻蚀栅介质这步工艺过程，是在完成了器件的栅电极制备后，为达到栅电极与随后要生长的栅介质上面的引线互连，先在栅电极上光刻出过孔图形，然后再蒸互连金属，最后再生长栅介质材料。本发明过孔的制备过程工艺简单，操作性比通过刻蚀的方法方便，降低了工艺成本。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院微电子研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100029 北京市朝阳区北土城西路3号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810240081.7 【申请日】2008-12-17 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752300A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101752300B 【授权公告日】2012-04-11 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L21/768; H01L51/40 【发明人】刘舸; 刘明; 刘兴华; 商立伟; 王宏; 柳江 【主权项内容】一种制备过孔的方法，其特征在于，该方法包括：步骤1、在绝缘衬底上涂敷光刻胶；步骤2、光刻得到栅电极图形；步骤3、电子束蒸发或者PECVD沉积金属电极；步骤4、用丙酮剥离不需要的金薄膜得到器件的栅电极图形；步骤5、在栅电极上匀胶后再次光刻得到过孔图形；步骤6、电子束蒸发过孔金属；步骤7、剥离后再淀积栅介质材料；步骤8、再次光刻得到栅介质上互连线的胶图形；步骤9、电子束蒸发连线金属，剥离后实现栅介质上下导线的互连。 【当前权利人】中国科学院微电子研究所 【当前专利权人地址】北京市朝阳区北土城西路3号 【统一社会信用代码】12100000400834434U 【家族引证次数】3.0
