【摘要】 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，提供一硅片，在所述硅片上形成刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层内具有开口图形；对所述刻蚀阻挡层内的开口图形的侧壁进行第一刻蚀，包括：向刻蚀腔中通入包含氧原子的第一气体，第一气体进气时在刻蚀腔的中央区域和边缘区域流量分布比例小于1；之后向刻蚀腔中通入包括惰性气体的第二气体，第二气体进气时在刻蚀腔的中央区域和边缘区域流量分布比例大于1，使硅片边缘区域刻蚀速率大于硅片中央区域的刻蚀速率；对具有上述刻蚀阻挡层的硅片进行第二刻蚀。本发明提高了硅片边缘区域和硅片中央区域的刻蚀图形特征尺寸的一致性，并且操作简便，容易控制。 【专利类型】发明授权 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810114299.8 【申请日】2008-06-03 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101599434B 【公开公告日】2010-11-10 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101599434B 【授权公告日】2010-11-10 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/308; H01L21/311; G03F7/42 【发明人】赵林林; 沈满华; 马擎天 【主权项内容】一种半导体器件的制造方法，提供一硅片，在所述硅片上形成刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层内具有开口图形，其特征在于，还包括：对所述刻蚀阻挡层内的开口图形的侧壁进行第一刻蚀，包括：向刻蚀腔中通入包含氧原子的第一气体，第一气体进气时在刻蚀腔的中央区域和边缘区域流量分布比例小于1；之后向刻蚀腔中通入包括惰性气体的第二气体，第二气体进气时在刻蚀腔的中央区域和边缘区域流量分布比例大于1，使硅片边缘区域刻蚀速率大于硅片中央区域的刻蚀速率；对具有上述刻蚀阻挡层的硅片进行第二刻蚀。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【引证次数】4.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】5
