【摘要】 本发明的实施例中公开了一种半导体元件的蚀刻方法，该方法包括：在进行顶部通孔的蚀刻时，在蚀刻设备的同一个处理腔中进行连续等离子体蚀刻制程和灰化制程。通过使用上述的方法，可在获得更高的蚀刻速度的同时，使得所形成的通孔具有更好的条纹控制和均匀性。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810226328.X 【申请日】2008-11-13 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740332A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101740332B 【授权公告日】2012-04-25 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L21/00; H01L21/311; H01L21/02 【发明人】王新鹏; 孙武 【主权项内容】一种半导体元件的蚀刻方法，其特征在于，该方法包括：在进行顶部通孔的蚀刻时，在蚀刻设备的同一个处理腔中进行连续等离子体蚀刻制程和灰化制程。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【被引证次数】2 【被自引次数】2.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】2
