【摘要】 本发明公开了一种含有碳纳米管的电磁屏蔽材料及其采用化学镀工艺制备电磁屏蔽材料的方法，所述电磁屏蔽材料由碳纳米管、金属铁、金属钴组成，其中电磁屏蔽材料中金属铁的质量百分比为5～10，金属钻的质量百分比为10～15，余量为碳纳米管。采用化学镀工艺制得电磁屏蔽材料厚度为2～3mm时的吸收强为30～40dB，频宽为5～18GHz，电磁屏蔽材料的密度为2.2～3.0g/cm3。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京航空航天大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100083 北京市海淀区学院路37号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810114304.5 【申请日】2008-06-02 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101304650B 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101304650B 【授权公告日】2010-06-16 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H05K9/00; C23C18/18; C23C18/48 【发明人】肇研; 段跃新; 薛亚娟; 孙莉莉; 郑浩 【主权项内容】一种采用化学镀工艺制备电磁屏蔽材料的制备方法，其特征在于包括有下列步骤：第一步：基体材料的选取基体材料为多壁碳纳米管；所述的多壁碳纳米管的直径为10～30nm，长度为1～2μm；第二步：对基体的前处理(A)配制敏化处理液敏化处理液由氯化亚锡(SnCl2·2H2O)、锡酸钠(Na2SnO3)、盐酸(HCl)和去离子水组成；用量：500ml的去离子水中加入25～50g的氯化亚锡(SnCl2·2H2O)、2～4g的锡酸钠(Na2SnO3)、90～110ml的盐酸(HCl)；(B)敏化工艺将第一步骤选取的多壁碳纳米管加入敏化处理液中；敏化条件：在35～50℃的敏化温度，功率500W的条件下，超声分散反应30～60min后，静止3～5min制得第一反应液；将第一反应液进行抽滤获得第一产物；抽滤条件：在室温条件下，调节抽滤真空仪器的真空度为-0.1MPa，抽滤时间10～20min后获得第一产物；(C)配制活化处理液活化处理液由氯化钯(PdCl2)、盐酸(HCl)和去离子水组成；用量：500ml的去离子水中加入0.2～0.5g的氯化钯(PdCl2)、40～60ml的盐酸(HCl)；(D)活化工艺将第一产物加入活化处理液中；活化条件：在35～50℃的活化温度，功率500W的条件下，超声分散反应30～60min后，静止3～5min制得第二反应液；将第二反应液进行抽滤获得第二产物；抽滤条件：在室温条件下，调节抽滤真空仪器的真空度为-0.1MPa，抽滤时间10～20min后获得第二产物；将第二产物放入干燥箱中，在90～110℃的条件下干燥3～4h后，制得第三产物；第三步：化学镀处理(A)制化学镀液化学镀液由柠檬酸三钠(Na3C6H5O7)、硫酸亚铁(FeSO4·7H2O)、硫酸钴(CoSO4·7H2O)、次亚磷酸钠(NaH2PO2)和去离子水组成；用量：500ml的去离子水中加入40～50g的柠檬酸三钠(Na3C6H5O7)、4～6g的硫酸亚铁(FeSO4·7H2O)、8～10g的硫酸钴(CoSO4·7H2O)、16～22g的次亚磷酸钠(NaH2PO2)；在化学镀液中添加氨水(NH3·H2O)调节所述化学镀液的pH＝8.5，获得第三反应液；(B)化学镀工艺将制得的第三产物放入第三反应液中；化学镀条件：在60～80℃的化学镀温度，功率500W的条件下，超声分散的条件下反应60～90min后，静止3～5min制得第四反应液；将第四反应液进行抽滤获得第四产物；抽滤条件：在室温条件下，调节抽滤真空仪器的真空度为-0.1MPa，抽滤时间10～20min后获得第四产物；将第四产物放入干燥箱中，在90～110℃的条件下干燥3～4h后，制得第五产物，即在碳纳米管上制得含有金属铁钴的电磁屏蔽材料。 【当前权利人】北京航空航天大学 【当前专利权人地址】北京市海淀区学院路37号 【统一社会信用代码】12100000400011227Y 【引证次数】4.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】7
