【摘要】 本发明涉及一种抗电子辐射屏蔽材料及其制备方法，所述抗电子屏蔽材料包括Mo或W作为高Z金属相，其量为15-35vol.％；AlN为低Z介质相，其量为85-65vol.％。本发明的抗电子辐射屏蔽材料是具有高的屏蔽效率、高导热率、绝缘的高能电子屏蔽材料，此材料具有比高原子序数金属(钽、钨、铅等)更高的屏蔽效率，可以使电子辐照沉积剂量降低两个数量级以上，并且不破坏元器件原有的散热条件，保证元器件工作时芯片的温度满足正常工作的要求。 ： 【专利类型】发明申请 【申请人】北京有色金属研究总院 【申请人类型】企业 【申请人地址】100088 北京市海淀区新街口外大街2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810239845.0 【申请日】2008-12-19 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101748319A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】C22C29/16; B32B15/01; C22C1/05; H05K9/00; C22C29/00 【发明人】杨志民; 毛昌辉; 杜军; 杨剑; 董桂霞; 马书旺; 罗君 【主权项内容】一种抗电子辐射屏蔽材料，其特征在于：所述抗电子辐射屏蔽材料包括Mo或W作为高Z金属相，其量为15-35vol.％；AlN为低Z介质相，其量为85-65vol.％。 【当前权利人】北京有色金属研究总院 【当前专利权人地址】北京市海淀区新街口外大街2号 【被引证次数】5 【被他引次数】5.0 【家族被引证次数】5
