【摘要】 本发明公开了一种半导体光电子器件的自适应耦合的结构，包括：一半导体光电子器件(a)，固定于圆形底座上；一外套管(c)，该外套管(c)的内径等于该圆形底座的外径，且该圆形底座焊接或紧密装配于该外套管(c)的一端；一内套管(d)，从该外套管(c)焊接或紧密装配圆形底座的相对端嵌套焊接于外套管(c)，且该内套管(d)的中轴线与所述外套管(c)的中轴线重合；一光接收装置(b)，焊接于内套管(d)内部，该光接收装置(b)的中轴线与内套管(d)的中轴线重合。本发明实现了对由于温度变化引起的光电子器件本征光电特性变化进行自适应补偿，保证了在较宽温度范围内耦合封装的光电子器件性能稳定。。数据由整理 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院半导体研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100083 北京市海淀区清华东路甲35号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810240930.9 【申请日】2008-12-24 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101762852A 【公开公告日】2010-06-30 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】G02B6/42 【发明人】祝宁华; 王欣; 孙可; 谢亮 【主权项内容】一种半导体光电子器件的自适应耦合的结构，其特征在于，包括：一半导体光电子器件(a)，固定于圆形底座上；一外套管(c)，该外套管(c)的内径等于该圆形底座的外径，且该圆形底座焊接或紧密装配于该外套管(c)的一端；一内套管(d)，从该外套管(c)焊接或紧密装配圆形底座的相对端嵌套焊接于外套管(c)，且该内套管(d)的中轴线与所述外套管(c)的中轴线重合；一光接收装置(b)，焊接于内套管(d)内部，该光接收装置(b)的中轴线与内套管(d)的中轴线重合。 【当前权利人】中国科学院半导体研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华东路甲35号 【统一社会信用代码】12100000400012385U 【被引证次数】3 【被他引次数】3.0 【家族被引证次数】3
