【摘要】 一种铝掺杂氧化锌纳米线的制备方法，属于光电信息功能材料领域。本方法以Zn粉和Al粉为蒸发源，相邻放置在三氧化二铝舟中，清洗后的硅片放置在蒸发源的正上方，距离源的垂直距离为1～2mm，然后将舟放入水平管式炉中；将管式炉升温至800℃～850℃，保温45～60min，在整个生长过程中，炉腔内始终充入40～50ml/min的氩气，生长结束后管式炉自然冷却到室温，取出硅片，在硅片表面沉积有Al掺杂ZnO纳米线。本方法无需真空设备，只需在常压条件下就可以合成出直径为40～370nm，长达30～150μm的Al掺杂ZnO纳米线，而且合成温度低，从而大大降低了生产成本。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京科技大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100083 北京市海淀区学院路30号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810224592.X 【申请日】2008-10-21 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101372356B 【公开公告日】2010-06-02 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101372356B 【授权公告日】2010-06-02 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C01G9/02 【发明人】常永勤; 郑超; 崔兴达 【主权项内容】一种铝掺杂氧化锌纳米线的制备方法，采用硅片作为接收衬底，将硅片分别在酒精和丙酮中进行清洗，其特征在于，以Zn粉和Al粉为蒸发源，相邻放置在三氧化二铝舟中，清洗后的硅片放置在蒸发源的正上方，距离源的垂直距离为1～2mm，然后将舟放入水平管式炉中；将管式炉升温至800℃～850℃，保温45～60min，在整个生长过程中，炉腔内始终充入40～50ml/min的氩气，生长结束后管式炉自然冷却到室温，取出硅片，在硅片表面沉积有Al掺杂ZnO纳米线。 ： 【当前权利人】北京科技大学 【当前专利权人地址】北京市海淀区学院路30号 【统一社会信用代码】121000004000022245 【引证次数】1.0 【自引次数】1.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】5
