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光纤光栅调谐器抗温变结构专利

发布时间:2026-06-15

【摘要】 本发明公开了一种光纤光栅调谐器抗温变结构,该抗温变结构包括:压电陶瓷座、压电陶瓷、压梁、螺钉、抗温变调整板和横压板;其中,压电陶瓷座上设有压梁,压梁底面上设有凹槽,压电陶瓷座与压梁之间的容置空间内设置压电陶瓷,抗温变调整板一端设置在压电陶瓷座一侧的卡槽内,通过卡槽两侧的横压板与螺钉配合压住固定,抗温变调整板的上表面与压电陶瓷的上表面处于同一平面,所述抗温变调整板为热膨胀系数在13.4×10-6K-1~39.5×10-6K-1的金属材料制成的长度在8~24mm的板状结构。该抗温变结构具有简单、使用方便,用在光纤光栅的封装中抗温变的效果好的特点。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京航空航天大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100083 北京市海淀区学院路37号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810117345.X 【申请日】2008-07-29 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101349782B 【公开公告日】2010-06-02 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101349782B 【授权公告日】2010-06-02 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G02B6/34 【发明人】张春熹; 董全林; 欧攀; 曹彬 【主权项内容】一种光纤光栅调谐器抗温变结构,其特征在于,该抗温变结构包括:压电陶瓷座(1)、压电陶瓷(2)、压梁(3)、螺钉(4)、抗温变调整板(5)和横压板(6);其中,压电陶瓷座(1)上设有压梁(3),压梁(3)底面上设有凹槽,压电陶瓷座(1)与压梁(3)之间的容置空间内设置压电陶瓷(2),抗温变调整板(5)一端设置在压电陶瓷座(1)一侧的卡槽(23)内,通过卡槽(23)两侧的横压板(6)与螺钉(4)配合压住固定,抗温变调整板(5)的上表面与压电陶瓷(2)的上表面处于同一平面,所述抗温变调整板(5)为热膨胀系数在13.4×10-6K-1~39.5×10-6K-1的金属材料制成的长度在8~24mm的板状结构;所述抗温变调整板(5)和压电陶瓷(2)上均设有光纤光栅安装点,所述光纤光栅安装点的确定符合下述关系:压电陶瓷座(1)和压电陶瓷(2)的总膨胀量L1λ1+L4λ4与抗温变调整板(5)和所设置的光栅光纤的总膨胀量L2λ2+L3λ3相等,其中,L1为抗温变调整板(5)在压电陶瓷座(1)上的固定点到压电陶瓷座(1)一端的距离,L2为抗温变调整板(5)在压电陶瓷座(1)上的固定点到该抗温变调整板(5)上的光纤光栅安装点的距离,L3为抗温变调整板(5)上的光纤光栅安装点与压电陶瓷(2)上的光纤光栅安装点之间的距离,L4为压电陶瓷(2)上的光纤光栅安装点到压电陶瓷座(1)一端的距离,λ1为压电陶瓷座(1)的线膨胀系数,λ2为抗温变调整板(5)的线膨胀系数,λ3为光栅光纤的线膨胀系数,λ4为压电陶瓷(2)的线膨胀系数。 【当前权利人】北京航空航天大学 【当前专利权人地址】北京市海淀区学院路37号 【统一社会信用代码】12100000400011227Y 【引证次数】5.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】5.0

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  • 【摘要】本发明公开了一种制作P型金属氧化物半导体的方法,包括:对硅片进行磷离子注入以及砷离子注入,形成N阱;对所述形成N阱后的硅片进行P型金属氧化物半导体PMOS阈值电压VTP注入;对经过所述VTP注入的硅片进行栅极制作;对经过所述栅极制作