【摘要】 1.本发明公开了一种电容自平衡T型多电平整流器的拓扑结构，其特征在于：通过2k个电容，电容CT1、CT2……CT(k-1)、CTk及CB1、CB2……CB(k-1)、CBk，串联构成T型变换器的纵轴；双向开关S1、S2……Sk-1、Sk、S1b、S2b……Skb构成T型变换器的横轴；双向开关Si、Si+1之间的节点和各个对应级数的电容的节点之间是由单向开关STi1，STi2……STi(2i)或SBi1，SBi2……SBi(2i)构成的可控支路，而STk1，STk2……STk(2k)或SBk1，SBk2……SBk(2k)是二极管构成的单向整流支路。Sk是T型横轴上级数最高的开关这一，其一端与Sk-1相连，另一端是交流端，通过电感接到交流电源的输出端，交流电源的另一输出端与另一个T型横轴上级数最高的开关Skb的一端相连。其中，k为正整数，i为小于k的正整数。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京交通大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100044 北京市海淀区西直门外上园村3号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810227505.6 【申请日】2008-11-28 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101414794B 【公开公告日】2010-08-25 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101414794B 【授权公告日】2010-08-25 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H02M7/12 【发明人】郑琼林; 贺明智; 张立伟; 杨中平; 孙湖; 郝瑞祥; 游小杰; 林飞; 黄先进; 王琛琛 【主权项内容】电容自平衡T型多电平整流器的拓扑结构，其特征在于：通过2k个电容，电容CT1、CT2……CT(k-1)、CTk及CB1、CB2……CB(k-1)、CBk，串联构成T型变换器的纵轴；双向开关S1、S2……Sk-1、Sk构成T型变换器的横轴；双向开关Si、Si+1之间的节点和CTi、CT(i+1)的节点之间是由单向开关STi1，STi2……STi(2i)构成的可控支路；双向开关Si、Si+1之间的节点和CBi与CB(i+1)间的节点是由单向开关SBi1，SBi2……SBi(2i)构成的可控支路；Sk是T型横轴的最后一个开关，其一端与Sk-1相连，另一端是交流端，通过电感接到交流电源的输出端，并同时通过两条支路与纵轴相连，其中一条是通过单向不控器件STk1、STk2……STk(2k)构成从横轴流向纵轴的单向整流支路与CTk的正极相连，另一条是通过单向不控器件SBk1、SBk2……SBk(2k)构成从纵轴流向横轴的单向整流支路与CBk的负极相连；横轴的双向可控开关S1的两个端子中，有一个端子与S2相连，另一端子与纵轴电容的中点相连；以纵轴为对称轴，将横轴及横轴与纵轴间的各个支路进行对称镜象；横轴得到关于纵轴对称的延长线，由双向开关S1b、S2b……S(k-1)b、Skb构成，各个支路镜像得到横轴延长线与纵轴间的各个支路，单向开关STi1，STi2……STi(2i)构成的可控支路关于纵轴的镜像支路是由单向可控开关STi1b，STi2b……STi(2i)b构成的可控支路，单向开关SBi1，SBi2……SBi(2i)构成的可控支路关于纵轴的镜像支路是由单向可控开关SBi1b，SBi2b……SBi(2i)b构成的可控支路；单向不控器件STk1、STk2……STk(2k)构成从横轴流向纵轴的单向整流支路关于纵轴的镜像支路是单向不控器件STk1b、STk2b……STk(2k)b构成的单向整流支路；单向不控器件SBk1、SBk2……SBk(2k)构成从纵轴流向横轴的单向整流支路关于纵轴的镜像支路是单向不控器件SBk1b、SBk2b……SBk(2k)b构成的单向整流支路；其中，k为一个正整数常数，i＝1，2……k-1。 【当前权利人】北京交通大学 【当前专利权人地址】北京市海淀区西直门外上园村3号 【统一社会信用代码】1210000040088209X1 【引证次数】1.0 【自引次数】1.0 【家族引证次数】1.0
