【摘要】 本发明公开了一种电子工业用氧化锆复合窑具及其制造方法，所述的氧化锆复合窑具是在刚玉氧化铝流延膜片或刚玉莫来石流延膜片的上下层叠电熔稳定氧化锆流延膜片，然后一体化压制，所述的窑具表面可以压制网纹，压制后在100～300℃下烘干干燥，再经1500～1700℃烧制1～3小时，即可制成氧化锆复合窑具。本发明的氧化锆复合窑具重量小，制作过程能耗少，不易粉化、分层，可靠性高，可广泛应用于独石电熔器、圆片电熔器、软磁铁氧体、热敏电阻等产品制造领域。 【专利类型】发明授权 【申请人】田维; 欧明; 姜知水 【申请人类型】个人 【申请人地址】100840 北京市海淀区马神庙1号49单元403号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810102225.2 【申请日】2008-03-19 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101244944B 【公开公告日】2010-06-02 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101244944B 【授权公告日】2010-06-02 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C04B35/66; B32B9/00; B32B37/10; B32B38/16; B32B38/06 【发明人】田维; 欧明; 姜知水 【主权项内容】一种电子工业用氧化锆复合窑具，其特征在于：所述的氧化锆复合窑具是在刚玉氧化铝流延膜片或刚玉莫来石流延膜片的上下层叠电熔稳定氧化锆流延膜片，然后一体化压制并高温烧制而成。 【当前权利人】肇庆捷成电子科技有限公司 【当前专利权人地址】广东省肇庆市端州区121区前村路南侧厂房A、B幢 【引证次数】3.0 【自引次数】1.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】5
