【摘要】 一种双控温氢氟酸气相刻蚀装置，一种对反应体和硅片衬底的温度分别可控的刻蚀装置。本发明提出的氢氟酸气相刻蚀装置主体包括一个具有温度调节及工作气体均匀性控制的反应腔体、样品台和一个利用控温液及相应传输通道对样品进行温度控制的控温液体腔室。通过加热反应腔体控制氢氟酸的挥发速度，从而实现对工作物质浓度和压力的控制。控温液体腔室通过传输通道和样品台连接，从而实现对样品台的直接温度控制。本发明由于可以对反应腔题和控温液体腔室分别加热，能同时控制反应气体参数和样品上本地工作温度，从而有效和灵活地控制和选择氢氟酸气相刻蚀速度和刻蚀质量，满足特殊结构的微米纳米加工要求。 【专利类型】发明授权 【申请人】清华大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100084 北京市100084信箱82分箱清华大学专利办公室 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810225705.8 【申请日】2008-11-07 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101392374B 【公开公告日】2010-09-22 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101392374B 【授权公告日】2010-09-22 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/306; C23F1/12 【发明人】刘泽文; 张伟 【主权项内容】一种双控温氢氟酸气相刻蚀装置，其特征在于：该装置含有支架(9)、反应腔体(2)、设置在反应腔体内的样品台(4)、控温液体腔室(5)、加热装置以及控制显示装置；所述的反应腔体由反应腔体上盖和球状壁两部分组成；所述的控温液体腔室(5)上设有传输通道，所述的样品台(4)通过传输管道与控温液体腔室(5)相连通；所述的加热装置由分别设置在反应腔室和控温液体腔室下部的反应腔加热装置(7a)和控温液体腔加热装置(7b)组成；所述的控制显示装置由反应腔体控制显示装置(8a)和控温液体腔室控制显示装置(8b)组成；反应腔体上盖通过反应腔转轴(3)与所述的支架和球状壁铰链，控温液体腔室(5)通过控温液体腔转轴(6)与所述的支架铰链。 【当前权利人】清华大学 【当前专利权人地址】北京市100084信箱82分箱清华大学专利办公室 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000400000624D 【家族被引证次数】10
