【摘要】 本发明一种叠层半导体激光器光纤排/束侧面泵浦方法，其特征在于， 包括如下：步骤1：制作一矩形铜质的半导体激光器叠层热沉，在叠层热 沉的一面上采用精密微加工方法，沿叠层热沉的横向加工制得多组V型槽； 步骤2：沿叠层热沉的纵向，在具有多组V型槽的一面的下方的两侧制作 两片镀金铜片；步骤3：在两片镀金铜片之间、叠层热沉具有多组V型槽 一面的下方粘接多组双包层光纤。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院半导体研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100083北京市海淀区清华东路甲35号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810117495.0 【申请日】2008-07-31 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101640368A 【公开公告日】2010-02-03 【公开公告年份】2010 【发明人】王大拯; 冯小明; 王勇刚; 刘素平; 马骁 【主权项内容】1、一种叠层半导体激光器光纤排/束侧面泵浦方法，其特征在于，包 括如下： 步骤1：制作一矩形铜质的半导体激光器叠层热沉，在叠层热沉的一 面上采用精密微加工方法，沿叠层热沉的横向加工制得多组V型槽； 步骤2：沿叠层热沉的纵向，在具有多组V型槽的一面的下方的两侧 制作两片镀金铜片； 步骤3：在两片镀金铜片之间、叠层热沉具有多组V型槽一面的下方 粘接多组双包层光纤。 【当前权利人】中国科学院半导体研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华东路甲35号 【统一社会信用代码】12100000400012385U 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
