【摘要】 本发明涉及非门逻辑电路及其形成方法。该非门逻辑电路，包括：一输入端，用于接收输入电压信号；一增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管，其栅电极耦接至所述输入端，其源电极耦接至接地点；一耗尽型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管，其漏电极耦接至电压源，其栅电极、其源电极、以及所述增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管的漏电极耦接于一点，以该点作为输出端，用于输出电压信号。本发明利用氧化锌纳米线材料和氧化锌纳米线场效应晶体管制作技术以及互连技术，实现基于氧化锌纳米线场效应晶体管的直接耦合场效应逻辑的非门逻辑电路。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院微电子研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810227459.X 【申请日】2008-11-25 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101431328B 【公开公告日】2010-09-08 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101431328B 【授权公告日】2010-09-08 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H03K19/20; H03K19/094; H01L27/02; H01L27/088; H01L29/78; H01L21/336 【发明人】徐静波; 张海英 【主权项内容】一种非门逻辑电路，其特征在于，包括：一输入端，用于接收输入电压信号；一增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管，其栅电极耦接至所述输入端，其源电极耦接至接地点；一耗尽型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管，其漏电极耦接至电压源，其栅电极、其源电极、以及所述增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管的漏电极耦接于一点，以该点作为输出端，用于输出电压信号；所述耗尽型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管和增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管，包括：栅氧介质SiO2，利用PECVD生长于P+-Si衬底的正面；背栅电极，通过蒸发金属形成于P+-Si衬底的背面；规则的周期性排列的十字型定位标记，通过依次光刻定位标记图形、蒸发金属、剥离金属，形成于P+-Si衬底的正面；氧化锌纳米线，放置于P+-Si衬底的正面；源漏电极，通过依次光刻源漏电极图形、蒸发金属、剥离金属形成于P+-Si衬底的正面；其中所述增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管在上述工艺基础上，再进行退火处理，在600℃环境下，退火处理2min，使得原本小于零伏的阈值电压，正向漂移，形成大于零伏的阈值电压。 【当前权利人】锐立平芯微电子(广州)有限责任公司 【当前专利权人地址】广东省广州市黄埔区开发大道348号建设大厦710室 【统一社会信用代码】12100000400834434U 【家族被引证次数】2
