【摘要】 本发明涉及了一种网格状薄膜的形成方法。该方法包括：在基板上罩设 一格栅，所述格栅的空白区域对应于预先设计的阵列基板的有效区域，所述 格栅的格条位于相邻的所述有效区域之间；所述基板为空白基板或沉积有薄 膜层的基板；在所述格栅空白区域对应的基板区域上沉积金属或非金属薄膜。 本发明使得形成在预先设计的阵列基板的有效区域上的薄膜相互断开，从而 减小在薄膜沉积过程中造成的基板变形，有利于提高工艺精度，从而提高阵 列基板的产品性能。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京京东方光电科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176北京市经济技术开发区西环中路8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810118456.2 【申请日】2008-08-22 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101655641A 【公开公告日】2010-02-24 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101655641B 【授权公告日】2011-06-22 【授权公告年份】2011.0 【发明人】郝昭慧 【主权项内容】1、一种网格状薄膜的形成方法，其特征在于，包括： 在基板上罩设一格栅，所述格栅的空白区域对应于预先设计的阵列基板 的有效区域，所述格栅的格条位于相邻的所述有效区域之间；所述基板为空 白基板或沉积有薄膜层的基板； 在所述格栅空白区域对应的基板区域上沉积金属或非金属薄膜。 微信 【当前权利人】京东方科技集团股份有限公司; 北京京东方光电科技有限公司 【当前专利权人地址】北京市朝阳区酒仙桥路10号; 北京市大兴区北京经济技术开发区西环中路8号 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳与境内合资) 【统一社会信用代码】911103027493533932
