【摘要】 一种基底温度控制方法，包括：确定包含目标温度的工艺条件和对 应所述工艺条件的基底背面粗糙度基值范围；测量基底背面粗糙度；在 所述工艺条件下，测得的粗糙度在所述粗糙度基值范围之内时，确定所 述基底具有目标温度；测得的粗糙度在所述粗糙度基值范围之外时，调 整所述工艺条件，使所述基底具有目标温度。可提高基底温度控制的精 确程度，以减少介质层形成过程中气泡的产生。本发明还提供了一种介 质层形成方法，可减少介质层形成过程中气泡的产生。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176北京市经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810115960.7 【申请日】2008-06-30 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101619447A 【公开公告日】2010-01-06 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】C23C16/52 【发明人】傅蓓芬; 杨继业 【主权项内容】1.一种基底温度控制方法，其特征在于，包括： 确定包含目标温度的工艺条件和对应所述工艺条件的基底背面粗 糙度基值范围； 测量基底背面粗糙度； 在所述工艺条件下，测得的粗糙度在所述粗糙度基值范围之内时， 确定所述基底具有目标温度；测得的粗糙度在所述粗糙度基值范围之外 时，调整所述工艺条件，使所述基底具有目标温度。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【引证次数】1.0 【被引证次数】4 【他引次数】1.0 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】4
