【摘要】 本发明公开了一种具有双浅沟道隔离槽的高密度二极管阵列的制造方法，其首先在具有第一导电类型的衬底上采用侧墙技术等工艺手段制作出相互独立的字线阵列，并使各字线由较深的浅沟道隔离槽(STI)隔离，再通过沉积及光刻等工艺，在每一STI的底部及部分侧壁，沉积含有易扩散第二导电类型原子的材料层，接着采用高温退火等处理方法使上述材料层中的第二导电类型原子扩散至相应各字线中，然后再采用离子注入及光刻等工艺在各字线上形成两层不同导电类型的薄层，并再次采用侧墙技术等工艺手段分离处于同一字线上的各二极管，且使各二极管之间被较浅的STI所分离，最后进行介质材料填充及平坦化形成二极管阵列，此方法制作的二极管阵列密度高，成本具有一定优势。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院上海微系统与信息技术研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】200050 上海市长宁区长宁路865号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】长宁区 【申请号】CN200810203942.4 【申请日】2008-12-03 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752312A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101752312B 【授权公告日】2012-05-30 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L21/822; H01L21/762; H01L21/70 【发明人】张挺; 宋志棠; 刘波; 封松林 【主权项内容】一种具有双浅沟道隔离槽的高密度二极管阵列的制造方法，其特征在于包括步骤：1)在第一导电类型的衬底上，采用侧墙工艺，制作出相互独立的字线阵列，并使各字线之间具有第一深度的浅沟道隔离槽；2)采用包括沉积、及光刻在内的工艺，在每一具有第一深度的浅沟道隔离槽的底部及侧壁，沉积含有第二导电类型原子的掺杂层，且使所述掺杂层仅覆盖部分侧壁而未到达相应各具有第一深度的浅沟道隔离槽的顶部，同时采用的上述掺杂层中的第二导电类型原子在高温退火的条件下应能扩散到字线中；3)采用包括高温退火在内的处理使所述掺杂层的第二导电原子扩散至相应各字线中；4)采用刻蚀法使所述扩散有第二导电类型原子的各字线分隔，以保持各字线之间的电学不导通；5)通过侧墙工艺和离子注入法在所形成的各字线上形成二极管结构，且使各二极管之间被具有第二深度的浅沟道隔离槽所分离，同时所述第二深度小于所述第一深度；6)采用介质材料填充各浅沟道隔离槽，并进行平坦化工艺处理以形成二极管阵列。 【当前权利人】中国科学院上海微系统与信息技术研究所 【当前专利权人地址】上海市长宁区长宁路865号 【统一社会信用代码】12100000425006790C 【引证次数】2.0 【被引证次数】5 【自引次数】2.0 【被自引次数】2.0 【被他引次数】3.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】5
