【摘要】 本发明涉及一种TFT-LCD像素结构及其制造方法，结构包括数据线、栅 线、公共电极线、薄膜晶体管和像素电极，所述栅线与所述数据线交叉定义 一像素单元，所述薄膜晶体管形成在所述栅线和数据线的交叉处，所述数据 线位于每一像素单元的中间，所述数据线的侧面形成有至少二个控制同一个 像素电极的薄膜晶体管，所述公共电极线与所述数据线平行，并与所述像素 电极形成至少二个存储电容。本发明还提供了一种TFT-LCD像素结构的制造 方法。本发明涉及的TFT-LCD像素结构及其制造方法通过在同一像素单元设 置多个薄膜晶体管和存储电容，有效降低大型的TFT-LCD生产中各种不 良的发生几率，提高产品的良率。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京京东方光电科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176北京市经济技术开发区西环中路8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810117877.3 【申请日】2008-08-06 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101644863A 【公开公告日】2010-02-10 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101644863B 【授权公告日】2011-08-31 【授权公告年份】2011.0 【发明人】洪美花; 夏子祺; 张志男 【主权项内容】1、一种TFT-LCD像素结构，包括数据线、栅线、公共电极线、薄膜晶体 管和像素电极，所述栅线与所述数据线交叉定义一像素单元，所述薄膜晶体 管形成在所述栅线和数据线的交叉处，其特征在于，所述数据线位于每一像 素单元的中间，所述数据线的侧面形成有至少二个控制同一个像素电极的薄 膜晶体管，所述公共电极线与所述数据线平行，并与所述像素电极形成至少 二个存储电容。 【当前权利人】高创(苏州)电子有限公司; 京东方科技集团股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市吴江经济技术开发区大兢路1088号; 北京市朝阳区酒仙桥路10号 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳与境内合资) 【统一社会信用代码】911103027493533932 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
