【摘要】 本发明公开了一种薄膜晶体管液晶显示面板像素结构，包括：基板；栅极 扫描线及栅电极，形成于基板之上；栅极绝缘层，形成于栅极扫描线及栅电极 之上；有源层，形成于栅极绝缘层之上；源漏电极以及数据扫描线，其中源漏 电极形成于有源层之上，数据扫描线形成于栅极绝缘层之上，并且源漏电极之 下的有源层互不相连；半导体层，形成于源漏电极、以及栅极绝缘层之上，且 半导体层覆盖部分漏电极、以及部分栅极绝缘层；钝化层，形成于半导体层之 上；像素电极，形成于钝化层、漏电极、栅极绝缘层之上。本发明同时公开了 一种薄膜晶体管液晶显示面板像素结构的制造方法，该像素结构和制造方法能 够避免源漏电极短路、沟道开路等问题，提高阵列基板的良品率。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京京东方光电科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176北京市北京经济技术开发区西环中路8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810117085.6 【申请日】2008-07-23 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101634783A 【公开公告日】2010-01-27 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101634783B 【授权公告日】2011-03-23 【授权公告年份】2011.0 【发明人】申伟; 朴云峰; 权基瑛; 权南仁 【主权项内容】1、一种薄膜晶体管液晶显示面板像素结构，其特征在于，包括： 基板； 栅极扫描线及栅电极，形成于所述基板之上； 栅极绝缘层，形成于所述栅极扫描线及栅电极之上； 有源层，形成于所述栅极绝缘层之上； 源电极、漏电极以及数据扫描线，其中所述源电极与漏电极形成于所述有 源层之上，所述数据扫描线形成于所述栅极绝缘层之上，并且所述源电极与漏 电极之下的有源层互不相连； 半导体层，形成于所述源电极、漏电极、以及栅极绝缘层之上，且所述半 导体层覆盖部分漏电极、以及部分栅极绝缘层； 钝化层，形成于所述半导体层之上； 像素电极，形成于所述钝化层、所述漏电极、所述栅极绝缘层之上。 【当前权利人】高创(苏州)电子有限公司; 京东方科技集团股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市吴江经济技术开发区大兢路1088号; 北京市朝阳区酒仙桥路10号 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳与境内合资) 【统一社会信用代码】911103027493533932 【被引证次数】4 【被自引次数】1.0 【家族被引证次数】4
