【摘要】 本发明公开了一种焊垫结构的制作方法，包括：提供具有半导体器件的 基底，所述基底至少包括金属间介质层和镶嵌于金属间介质层中的金属互连 层；形成覆盖于金属间介质层和金属互连层表面上钝化层，在所述钝化层中 形成开口，将金属互连层露出；在所述开口中形成用于制作焊垫的、具有稳 态晶相的金属层；图案化所述金属层从而形成焊垫结构。采用本发明提供的 焊垫结构的制作方法能够避免封装过程分割晶片时，二次析晶析出的新晶相 被分割晶片所用的弱酸性冷却水腐蚀，从而保证焊垫表面具有良好的附着性， 能够与引线牢固接合。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810117505.0 【申请日】2008-07-31 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101640179A 【公开公告日】2010-02-03 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101640179B 【授权公告日】2011-03-23 【授权公告年份】2011.0 【发明人】聂佳相 【主权项内容】1、一种焊垫结构的制作方法，其特征在于，包括： 提供具有半导体器件的基底，所述基底至少包括金属间介质层和镶嵌于 金属间介质层中的金属互连层； 形成覆盖于金属间介质层和金属互连层表面上钝化层，在所述钝化层中 形成开口，将金属互连层露出； 在所述开口中形成用于制作焊垫的、具有稳态晶相的金属层； 图案化所述金属层从而形成焊垫结构。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
