【摘要】 本发明提供一种多晶硅预掺杂方法，具体为：在多晶硅薄膜上沉积一层 隔离层，所述隔离层易于从多晶硅薄膜上剥离；在隔离层上覆盖一层光刻胶， 并将图形转移到光刻胶上；在进行离子注入后利用干法和湿法去除光刻胶； 最后利用湿法去除隔离层。应用本发明方案，由于可以先在多晶硅薄膜上沉 积一层隔离层，可以很容易在离子注入后被去除，既可以使多晶硅薄膜不直 接与光刻胶等物质接触，又可以彻底去除光刻胶残留物等缺陷，并同时保护 多晶硅薄膜不受损伤。。-官网 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176北京市经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810222176.6 【申请日】2008-09-10 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101673674A 【公开公告日】2010-03-17 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101673674B 【授权公告日】2012-02-29 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L21/266; H01L21/02 【发明人】魏莹璐; 何学缅 【主权项内容】1、一种多晶硅预掺杂方法，其特征在于，该方法包括以下步骤： 在多晶硅薄膜上沉积一层隔离层，所述隔离层易于从多晶硅薄膜上剥离； 在隔离层上覆盖一层光刻胶，并将图形转移到光刻胶上； 在进行离子注入后利用干法和湿法去除光刻胶； 最后利用湿法去除隔离层。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【被引证次数】8 【被自引次数】2.0 【被他引次数】6.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】8
