【摘要】 一种焊盘形成方法，包括，在基底上形成介质层；利用包含第一氟 碳气体和第二氟碳气体的第一反应气体对所述介质层执行主刻蚀操作， 所述第一氟碳气体中的氟碳比例大于2∶1，所述第二氟碳气体中的氟碳 比例小于或等于2∶1；利用包含第二氟碳气体的第二反应气体执行所述 介质层的过刻蚀操作，形成接触孔；形成覆盖所述介质层并填充所述接 触孔的导电层，形成焊盘。一种焊盘，所述焊盘形成于覆盖基底的介质 层中，所述焊盘包括顶壁、与所述顶壁相对的底壁和由所述底壁边缘向 上延伸后与顶壁接合的侧壁，由所述底壁边缘向上延伸的至少部分高度 的所述侧壁与底壁间的夹角大于90度。均可改善导电层对所述接触孔 的填充效果。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810117727.2 【申请日】2008-08-04 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101645408A 【公开公告日】2010-02-10 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101645408B 【授权公告日】2012-05-16 【授权公告年份】2012.0 【发明人】王新鹏; 孙武 【主权项内容】1.一种焊盘形成方法，其特征在于，包括， 在基底上形成介质层； 利用包含第一氟碳气体和第二氟碳气体的第一反应气体对所述介 质层执行主刻蚀操作，所述第一氟碳气体中的氟碳比例大于2∶1，所述 第二氟碳气体中的氟碳比例小于或等于2∶1； 利用包含第二氟碳气体的第二反应气体执行所述介质层的过刻蚀 操作，形成接触孔； 形成覆盖所述介质层并填充所述接触孔的导电层，形成焊盘。 （，） 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
