【摘要】 本发明公开了一种光刻预处理方法、以及一种光刻方法。本发明在旋涂光刻胶之前，先对半导体基体进行温度900℃～1100℃、持续时间为25秒～35秒的无氧热处理，从而能够使得半导体基体表面的碱性化合物被分解，因而在后续光刻所涉及的曝光过程中，旋涂于半导体基体表面的光刻胶所产生的光酸不会与该碱性化合物进行化学反应，进而就不会产生沉积在光刻胶中形成的沟槽底部的残留物。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810226331.1 【申请日】2008-11-13 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740334A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101740334B 【授权公告日】2012-10-03 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L21/00; H01L21/027; G03F7/00; H01L21/02 【发明人】吴永玉 【主权项内容】一种光刻预处理方法，其特征在于，该方法包括：利用热处理设备以900℃～1100℃之间的任意温度对半导体基体进行无氧热处理；当所述无氧热处理持续时间到达25秒～35秒、使得半导体基体表面的碱性化合物分解后，停止热处理；待半导体基体退火后，将其从热处理设备中取出。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【被引证次数】4 【被自引次数】1.0 【被他引次数】3.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】4
