【摘要】 一种在晶圆上制造栅极的方法：按照栅极图形光刻蚀第二氮化物层直到第二氧化物层，在所形成的栅极图形开口位置上，沉积掺杂的多晶硅层；按照栅极图形开口位置刻蚀掺杂的多晶硅层，得到掺杂的多晶硅层的栅极形状，去除光刻蚀剩余的第二氮化物层；按照掺杂的多晶硅层的栅极形状刻蚀第一氮化物层和第二氧化物层，直到第一氧化物层，得到第一氮化物层的栅极形状，去除掺杂的多晶硅层的栅极形状和第二氧化物层；按照第一氮化物层的栅极形状刻蚀多晶硅层后，去除第一氮化物层的栅极形状和第一氧化物层后，得到栅极。本发明可以制造顶部为平面且保持顶部和底部宽度相同的栅极。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810224597.2 【申请日】2008-10-21 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101728255A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101728255B 【授权公告日】2011-07-20 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L21/28; H01L21/336; H01L21/308; H01L21/02 【发明人】张海洋; 陈海华 【主权项内容】一种在晶圆上制造栅极的方法，其特征在于，在晶圆的栅氧化层上依次沉积多晶硅层、第一氧化物层、第一氮化物层、第二氧化物层和第二氮化物层，其中，沉积多晶硅层高度为栅极高度，该方法还包括：按照栅极图形光刻蚀第二氮化物层直到第二氧化物层，在所形成的栅极图形开口位置上，沉积掺杂的多晶硅层；按照栅极图形开口位置刻蚀掺杂的多晶硅层，得到掺杂的多晶硅层的栅极形状，去除光刻蚀剩余的第二氮化物层；按照掺杂的多晶硅层的栅极形状刻蚀第一氮化物层和第二氧化物层，直到第一氧化物层，得到第一氮化物层的栅极形状，去除掺杂的多晶硅层的栅极形状和第二氧化物层；按照第一氮化物层的栅极形状刻蚀多晶硅层后，去除第一氮化物层的栅极形状和第一氧化物层后，得到栅极。 微信 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【被引证次数】2 【被自引次数】2.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】2
