【摘要】 一种掺杂栅介质层的最小厚度确定方法，可在利用任一掺杂条件执 行所述栅介质层的掺杂操作时，通过获得所述掺杂剂量与栅介质层的厚 度的函数关系，判定具有最小厚度的栅介质层在所述掺杂条件下的掺杂 效果符合产品要求；一种掺杂多晶硅层的最小厚度确定方法，可在利用 任一掺杂条件执行所述多晶硅层的掺杂操作时，通过获得所述掺杂剂量 与多晶硅层的厚度的函数关系，判定具有最小厚度的多晶硅层在所述掺 杂条件下的掺杂效果符合产品要求；一种掺杂叠层顶层的最小厚度确定 方法，可在利用任一掺杂条件执行所述顶层的掺杂操作时，通过获得所 述掺杂剂量与顶层的厚度的函数关系，判定具有最小厚度的顶层在所述 掺杂条件下的掺杂效果符合产品要求。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176北京市经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810115958.X 【申请日】2008-06-30 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101620994A 【公开公告日】2010-01-06 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101620994B 【授权公告日】2011-01-12 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L21/28; H01L21/336; H01L21/66; H01L21/3115; H01L21/265; H01L21/02 【发明人】何永根; 陈旺 【主权项内容】1.一种掺杂栅介质层的最小厚度确定方法，其特征在于，包括： 在至少两片半导体基底上形成具有不同厚度的栅氧化层； 以同一掺杂条件执行所述栅氧化层的掺杂操作，形成栅介质层； 采用非破坏性表面测量技术检测各所述栅介质层的掺杂剂量； 获得所述掺杂剂量与栅介质层的厚度的函数关系； 确定所述函数取极小值时所述栅介质层的厚度为所述掺杂条件下 所述栅介质层的最小厚度。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【引证次数】1.0 【被引证次数】10 【他引次数】1.0 【被他引次数】10.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】10
