【摘要】 一种纳米技术领域的快速制备SiC纳米线的方法。本发明步骤为：a、按照质量百分比将SiO粉为33.3％-66.7％、焦炭为33.3％-66.7％进行混合；b、将混合物放入球磨机，球磨，制备反应原料；c、将反应原料放入石墨管制作的坩埚中，置于密闭石英管内，使用真空泵抽真空；d、在石英管内通入氩气或者氮气，调节进气流量，控制管内气压在0.02-0.04MPa；e、采用石英管外缠绕的高频感应电源线圈对石墨坩埚进行加热，在3min内升至1600℃，保温；f、氩气或者氮气保护下随炉冷却至室温，即得到SiC纳米线。本发明解决了现有SiC纳米线制备中工艺复杂、成本高、周期长、条件难控制等问题。 【专利类型】发明授权 【申请人】上海交通大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】200240 上海市闵行区东川路800号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】闵行区 【申请号】CN200810041205.9 【申请日】2008-07-31 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101327929B 【公开公告日】2010-09-08 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101327929B 【授权公告日】2010-09-08 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C01B31/36 【发明人】张亚非; 王峰磊; 张丽英 【主权项内容】一种快速制备SiC纳米线的方法，其特征在于，包括如下步骤：a、按照质量百分比将SiO粉为33.3％-66.7％、焦炭为33.3％-66.7％进行混合；b、将混合物放入球磨机，球磨，制备反应原料；所述球磨，其时间为6-24小时，速度为400转/分钟；c、将反应原料放入石墨管制作的坩埚中，置于密闭石英管内，使用真空泵抽真空；所述抽真空，是指抽真空至50Pa-100Pa；d、在石英管内通入氩气或者氮气，调节进气流量，控制管内气压在0.02-0.04MPa；e、采用石英管外缠绕的高频感应电源线圈对石墨坩埚进行加热，在3min内升至1600℃，保温；所述保温，其时间为20min-60min；f、氩气或者氮气保护下随炉冷却至室温，即得到SiC纳米线。 【当前权利人】上海交通大学 【当前专利权人地址】上海市闵行区东川路800号 【统一社会信用代码】1210000042500615X0 【引证次数】4.0 【自引次数】1.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】14
