【摘要】 本发明涉及太阳电池的制造方法，公开了一种硅太阳电池硅烧结体内连结构的制造方法，包括如下步骤：(1)在硅基片上加工一些能够从硅片的一面穿过N型或P型硅层、到达P型或N型硅层的孔或槽；(2)将硅浆料印制填充在步骤(1)制备的孔中；(3)烧结形成硅烧结体内连结构；(4)在电池的非受光面印刷和烧结电极形成电池的负极和正极输出。本发明实现电池全部电极由背表面引出，适用于常规太阳电池材料和工艺。取得了转换效率高、极连方便、可靠性高和外表美观等有益效果。 【专利类型】发明申请 【申请人】李涛勇 【申请人类型】个人 【申请人地址】200000 上海市闵行区春申五村39号501室 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】闵行区 【申请号】CN200810201586.2 【申请日】2008-10-23 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101728456A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L31/18 【发明人】李涛勇 【主权项内容】一种硅太阳电池硅烧结体内连结构的制造方法，其特征在于，该方法包括如下的步骤：(1)打孔：使用激光、化学腐蚀或物理手段增强化学腐蚀的方法在硅基片上加工一些能够从硅片的一面穿过N型或P型硅层、到达P型或N型硅层的孔或槽；(2)填充硅浆料：用印刷工艺将硅浆料填充在步骤(1)制备的孔中；(3)烧结：通过烧结，使硅浆料中的硅粉致密化，形成硅烧结体内连结构；(4)制备电极：在电池的非受光面，分别在有硅烧结体分布处和没有硅烧结体分布处印刷电极浆料或沉积金属导电层，经烧结，电极与硅烧结体和硅基片间形成良好的欧姆接触，作为电池的负极和正极输出。 【当前权利人】李涛勇 【当前专利权人地址】上海市闵行区春申五村39号501室 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族被引证次数】2
