【摘要】 本发明公开了一种光刻方法，提供半导体结构，所述半导体结构上表面具有N类不位于同一平面上区域，在所述半导体结构上表面具有保护膜层，所述保护膜层覆盖所述N类区域；对所述N类中的第一类区域上的保护膜层进行曝光，并且所述第一类区域上的保护膜层位于第一类区域对应的掩膜板的聚焦平面上；对所述N类中的第二类区域上的保护膜层进行曝光，并且所述第二类区域上的保护膜层位于第二类区域对应的掩膜板的聚焦平面上；以此类推完成N类区域的曝光；掩膜板显影，将曝光区域的保护膜层清洗掉。该方法使半导体结构表面的保护膜层经过光刻之后，需要去除的区域，去除的更干净。。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】201203 上海市浦东新区张江路18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】浦东新区 【申请号】CN200810207523.8 【申请日】2008-12-19 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752228A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101752228B 【授权公告日】2011-08-17 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L21/027; G03F7/20; H01L21/02 【发明人】胡骏; 胡友存 【主权项内容】一种光刻方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体结构，所述半导体结构上表面具有N类不位于同一平面上区域，在所述半导体结构上表面具有保护膜层，所述保护膜层覆盖所述N类区域；对所述N类中的第一类区域上的保护膜层进行曝光，并且所述第一类区域上的保护膜层位于第一类区域对应的掩膜板的聚焦平面上；对所述N类中的第二类区域上的保护膜层进行曝光，并且所述第二类区域上的保护膜层位于第二类区域对应的掩膜板的聚焦平面上；以此类推，对所述N类中的第N类区域上的保护膜层进行曝光，并且所述第N类区域上的保护膜层位于第N类区域对应的掩膜板的聚焦平面上，其中N为大于1的自然数；掩膜板显影，将曝光区域的保护膜层清洗掉。。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 【当前专利权人地址】上海市浦东新区张江路18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】91310115710939629R 【引证次数】1.0 【被引证次数】3 【他引次数】1.0 【被他引次数】3.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】3
