【摘要】 一种依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(a)以绝缘体上硅作为衬底；(b)在衬底上沿晶向方向进行划片，作为曝光时的参考方向；(c)将衬底进行热氧化，生成二氧化硅掩膜层；(d)采用电子束曝光，生成平面图形；(e)采用各向同性腐蚀液对二氧化硅掩膜层进行腐蚀；(f)再采用各向异性湿法腐蚀，在二氧化硅掩膜层下的硅层上获得依赖晶面的三维限制硅纳米结构。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院半导体研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100083 北京市海淀区清华东路甲35号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810224109.8 【申请日】2008-10-15 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101723312A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】B82B3/00 【发明人】杨香; 韩伟华; 王颖; 张杨; 杨富华 【主权项内容】1.一种依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： (a)以绝缘体上硅作为衬底； (b)在衬底上沿<110>晶向方向进行划片，作为曝光时的参考方向； (c)将衬底进行热氧化，生成二氧化硅掩膜层； (d)采用电子束曝光，生成平面图形； (e)采用各向同性腐蚀液对二氧化硅掩膜层进行腐蚀； (f)再采用各向异性湿法腐蚀，在二氧化硅掩膜层下的硅层上获得依赖晶面的三维限制硅纳米结构。 【当前权利人】中国科学院半导体研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华东路甲35号 【统一社会信用代码】12100000400012385U 【被引证次数】7 【被他引次数】7.0 【家族被引证次数】7
