【摘要】 本发明公开了一种二氧化碳低温气溶胶半导体清洗设备，包括二氧化碳预处理腔、清洗腔、分离腔、二氧化碳循环控制系统和温度及压力控制系统；二氧化碳在预处理腔内进入预设的温度和压力状态后，经清洗腔内的喷嘴上的狭缝喷槽出射，伴随液体流分裂蒸发冷却，形成幕状固态气胶团簇流；幕状二氧化碳气胶流以一定角度入射到放置在可转硅片架上的硅片表面，通过动量转移，清除污染物颗粒，并由载流气体将颗粒带离清洗腔，在分离腔中回收二氧化碳并处理清洗污物。利用本发明，避免了纯水的大量消耗以及有机溶剂对环境的污染和操作人员的危害，可有效去除超临界二氧化碳无法去除的颗粒和碳化交联聚合物外壳，对小尺寸的图形和结构取得理想的清洗效果。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院微电子研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100029 北京市朝阳区北土城西路3号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810227478.2 【申请日】2008-11-26 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740341A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101740341B 【授权公告日】2011-12-07 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L21/00; H01L21/02; B08B7/00 【发明人】高超群; 景玉鹏 【主权项内容】一种二氧化碳低温气溶胶半导体清洗设备，其特征在于，该设备包括二氧化碳预处理腔(1)、清洗腔(2)、分离腔(4)、二氧化碳循环控制系统(9)和温度及压力控制系统(10)；二氧化碳在所述预处理腔(1)内进入预设的温度和压力状态后，经清洗腔(2)内的喷嘴(201)上的狭缝喷槽(205)出射，伴随液体流分裂蒸发冷却，形成幕状固态气胶团簇流；所述幕状二氧化碳气胶流以一定角度入射到放置在可转硅片架(3)上的硅片表面，通过动量转移，清除污染物颗粒，并由载流气体将颗粒带离清洗腔(2)，在分离腔(4)中回收二氧化碳并处理清洗污物。 微信 【当前权利人】中国科学院微电子研究所 【当前专利权人地址】北京市朝阳区北土城西路3号 【统一社会信用代码】12100000400834434U 【被引证次数】15 【被自引次数】4.0 【被他引次数】11.0 【家族引证次数】7.0 【家族被引证次数】15
