【摘要】 本发明公开了属于电容器的制造技术范围的一种基于MEMS技术的聚吡咯微型超级电容器及其制造方法，所述聚吡咯微型超级电容器的结构为：在硅基体的表面采用微加工技术制备金梳齿二维平面结构作为集流体，在集流体表面通过电沉积方法制备聚吡咯物质方法制备梳齿状聚吡咯活性电极，在梳齿状聚吡咯电极的表面及正负电极间覆盖一层凝胶状固态电解质，在上述结构表面覆盖一层聚酰亚胺材料完成微型超级电容器封装。所述基于MEMS的制造技术，具有工艺简单，适合批量制造等特点。所装微型超级电容器具有体积小、储能高、性能稳定等特点，在微机器人电子智能系统、化学传感器、战场敌我识别装置以及分布式战场传感器等等领域具有广泛的应用。 【专利类型】发明授权 【申请人】清华大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100084 北京市100084-82信箱 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810112278.2 【申请日】2008-05-22 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101325130B 【公开公告日】2010-05-12 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101325130B 【授权公告日】2010-05-12 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01G9/042; H01G9/048; H01G9/025; H01G9/08; H01M10/00; H01M14/00 【发明人】尤政; 王晓峰 【主权项内容】一种基于MEMS技术的聚吡咯微型超级电容器，其特征在于，所述聚吡咯微型超级电容器的结构为：在硅基体的表面采用微加工技术制备出梳齿状的阳极金集流体和阴极金集流体，阳极金集流体和阴极金集流体依次交叉，阳极金集流体、阴极金集流体的全部梳齿各自汇集后同向引出形成二维平面电极对的梳齿状金集流体，阳极金集流体引出为正电极，阴极金集流体引出为负电极；在梳齿状集流体表面通过电沉积方法覆盖聚吡咯活性物质，制备成为梳齿状聚吡咯活性电极，在梳齿状聚吡咯活性电极的表面及梳齿电极间覆盖一层凝胶状固态电解质，在上述结构表面再覆盖一层聚酰亚胺材料完成微型超级电容器封装。 【当前权利人】清华大学 【当前专利权人地址】北京市100084-82信箱 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000400000624D 【引证次数】5.0 【被引证次数】5 【他引次数】5.0 【被他引次数】5.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】30
