【摘要】 一种在多层记忆胞(Multi Level Cell，MLC)NAND快闪存储器中写入 数据的方法及使用此方法的储存系统与控制器，其中此MLC NAND快闪存储器 包括多个区块，其中每一区块包括多个页面地址且这些页面地址区分为多个 上页地址与写入速度快于上页地址的多个下页地址，此数据写入方法包括接 收写入指令与欲写入的数据，以及写入数据至页面地址中，其中当欲写入的 页面地址为上页地址且欲写入的页面地址所对应的下页地址已储存先前写入 指令所写入的有效数据时则跳过此欲写入的页面地址。基此，能够在对 MLC NAND快闪存储器发生编程错误时，确保先前写入指令所写入的数据的正确 性。 【专利类型】发明申请 【申请人】群联电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾苗栗县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810136061.5 【申请日】2008-07-11 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101625897A 【公开公告日】2010-01-13 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101625897B 【授权公告日】2012-05-30 【授权公告年份】2012.0 【发明人】朱健华 【主权项内容】1.一种数据写入方法，其用以写入数据至一多层记忆胞(Multi Level Cell，MLC)与非(NAND)快闪存储器，其中该MLC NAND快闪存储器包括多 个区块，其中每一区块包括多个页面地址且该些页面地址区分为多个上页地 址与写入速度快于该些上页地址的多个下页地址，该数据写入方法包括： 接收一写入指令与欲写入的数据；以及 写入该数据至该些区块中，其中当欲写入的页面地址为该些上页地址且 该欲写入的页面地址所对应的下页地址储存先前写入指令所写入的有效数据 时则跳过该欲写入的页面地址。。 【当前权利人】群联电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾苗栗县 【被引证次数】21 【家族被引证次数】21
