【摘要】 本发明提供一种具有硅通孔的半导体芯片构造及其堆叠组合，两个或两个以上通孔垂直贯穿在半导体基板的上下表面的焊垫；两个或两个以上第一凸缘环突出地设置于这些位在该半导体基板上表面的焊垫上，以使其对应焊垫具有接触表面，其位于这些第一凸缘环与这些通孔之间；两个或两个以上第二凸缘环突出地设置于这些位在该半导体基板下表面的焊垫上，以使其对应焊垫具有接触表面，其围绕在这些第二凸缘环之外；第二凸缘环具有可嵌入于第一凸缘环的尺寸。利用凸缘环的上下嵌合，可实现芯片准确对位及避免位移，并可实现一种可先芯片堆叠再将填孔物质填入通孔的芯片堆叠工艺，填孔物质不会溢流而无邻接通孔电性短路的问题，符合硅通孔微间距的要求。 【专利类型】发明授权 【申请人】力成科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹县湖口乡新竹工业区大同路26号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810006591.8 【申请日】2008-03-13 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101533811B 【公开公告日】2010-10-20 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101533811B 【授权公告日】2010-10-20 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L23/482; H01L23/544; H01L25/00; H01L23/48 【发明人】陈酩尧 【主权项内容】微信 一种具有硅通孔的半导体芯片构造，其特征在于，所述半导体芯片构造包含：半导体基板，具有第一表面、相对的第二表面以及两个或两个以上贯穿该第一表面与该第二表面的通孔；两个或两个以上第一焊垫，设置于该第一表面；两个或两个以上第二焊垫，设置于该第二表面，其中所述通孔还贯穿垂直对应所述第一焊垫与第二焊垫；两个或两个以上第一凸缘环，突出地设置于该第一焊垫，并使对应的第一焊垫具有第一接触表面，该第一接触表面外露于该第一表面并位于该第一凸缘环与所述通孔之间；两个或两个以上第二凸缘环，突出地设置于所述第二焊垫，并使对应的第二焊垫具有第二接触表面，第二接触表面外露于该第二表面并围绕在该第二凸缘环之外，其中该第二凸缘环具有可嵌入于该第一凸缘环的尺寸；孔金属层，其形成于所述通孔内，并电性连接所述第一焊垫与对应的第二焊垫；以及填孔物质，其填入于所述通孔。 【当前权利人】力成科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹县湖口乡新竹工业区大同路26号 【引证次数】2.0 【被引证次数】1 【他引次数】2.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】21
