【摘要】 本发明公开一种化合物半导体元件及光电元件的封装结构及其制造方 法，该封装结构包含具有图案的导电膜层、晶粒、至少一个金属导线或是金 属凸块、及透明封胶材料。该晶粒固定于该导电膜层的第一表面上，并通过 该金属导线或是金属凸块，与该导电膜层电性连接。该透明封胶材料覆盖于 该导电膜层的第一表面及该晶粒上，该导电膜层的第二表面露出于该透明封 胶材料，其中该第二表面是相对于该第一表面而言。利用本发明不需要印刷 电路板介于晶粒及外部电极间传递电气信号，因此可改善散热不佳的问题。 【专利类型】发明申请 【申请人】先进开发光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810133910.1 【申请日】2008-07-15 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101630668A 【公开公告日】2010-01-20 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101630668B 【授权公告日】2011-09-28 【授权公告年份】2011.0 【发明人】陈滨全; 张超雄; 林昇柏; 陈隆欣; 曾文良 【主权项内容】1.一种化合物半导体元件的封装结构，包含： 薄型衬底，具有第一电极与第二电极； 化合物半导体晶粒，位于该薄型衬底上； 将该半导体晶粒固接于该薄型衬底；以及 透明胶材，包覆该半导体晶粒。 【当前权利人】徐州博创建设发展集团有限公司 【当前专利权人地址】江苏省徐州市邳州市经济开发区电子产业园B座506 【被引证次数】12 【家族被引证次数】13
