【摘要】 一种带有氮气保护的三氯氢硅或四氯化硅供应系统的控制管路，它包括：系统设计了两个输出端口，五个输入端口。其中一个输出端口和外延炉的工艺气体模块连接，向外延炉提供工艺气体，另外一个为输出端口和尾气处理系统连接。系统的五个输入端口中由两个分别连接氯氢硅或四氯化硅液罐上的气相输入接口和液相输出接口，另外三个和鼓泡器连接。本发明优点是：可以满足将TCS液罐内的TCS送入鼓泡器、以TCS液灌作为TCS鼓泡器检验TCS质量、管路吹扫、管路抽真空，液罐接口被断开后有氮气保护等功能。系统安全可靠，不仅可以用来为外延工艺供气，也可用于其它的薄膜工艺中H2携带TCS或SiCl4的供应。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京有色金属研究总院; 有研半导体材料股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100088 北京市新街口外大街2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】西城区 【申请号】CN200810225009.7 【申请日】2008-10-23 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101723373A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101723373B 【授权公告日】2011-12-14 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】C01B33/03; C01B33/00 【发明人】何自强; 冯泉林; 闫志瑞; 张果虎 【主权项内容】一种带有氮气保护的三氯氢硅或四氯化硅供应系统的控制管路，它包括：一条进入鼓泡器液相内的氢气输入管路②；一条气态三氯氢硅或四氯化硅输出管路③，该管路的另一端与外延炉的工艺气体管路相接③；一条一端插入三氯氢硅或四氯化硅液罐底部将三氯氢硅或四氯化硅液体进入鼓泡器的管路⑦；一条将氢气送入三氯氢硅或四氯化硅液罐的氢气管路⑩，其进入液罐设有阀门V11，其特征在于：控制管路还包括：(1)、一条氢气输入管路⑧，它的一端接氢气进口，其另一端接管路⑥，管路⑥通过三通接插入三氯氢硅或四氯化硅液罐底部的管路⑦，所述的管路⑧在与氢气相接的那一端通过三通接氮气进口管⑨；(2)上述的阀门V11通过四通接一管路⑤，该管路的另一端与上述的管路③相接，将气态三氯氢硅或四氯化硅送至工艺使用，所述的管路的中部通过三通接一尾气处理管路，该管路④上装有用来抽真空的文丘里管。 【当前权利人】有研半导体硅材料股份公司 【当前专利权人地址】北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧 【专利权人类型】股份有限公司 【被引证次数】12 【被他引次数】12.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】12
