【摘要】 本发明公开了一种在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外 延方法，包括如下步骤：步骤1：选取(100)面偏向方向6°或9°的 Ge衬底；步骤2：对Ge衬底进行除气脱氧及退火处理；步骤3：将进行 退火处理后的Ge衬底在As蒸气环境下暴露一定时间，然后在温度300 至650℃范围内在该Ge衬底上生长无反相畴的GaAs薄膜。测试结果表明， 生长出的GaAs薄膜表面粗糙度仅为0.718nm，即成功地抑制了反相畴的 产生，其晶体质量优于目前世界的最好结果。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院半导体研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100083北京市海淀区清华东路甲35号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810116412.6 【申请日】2008-07-09 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101624725A 【公开公告日】2010-01-13 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101624725B 【授权公告日】2012-01-04 【授权公告年份】2012.0 【发明人】王鹏飞; 吴东海; 吴兵朋; 熊永华; 詹峰; 黄社松; 倪海桥; 牛智川 【主权项内容】1、一种在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法，其 特征在于，包括如下步骤： 步骤1：选取(100)面偏向< 111> 方向6°或9°的锗Ge衬底； 步骤2：对Ge衬底进行除气脱氧及退火处理； 步骤3：将进行退火处理后的Ge衬底在砷As蒸气环境下暴露一定时 间，然后在温度300至650℃范围内在该Ge衬底上生长无反相畴的砷化 镓GaAs薄膜。 【当前权利人】中国科学院半导体研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华东路甲35号 【统一社会信用代码】12100000400012385U 【被引证次数】8 【被自引次数】5.0 【家族被引证次数】8
