【摘要】 一种单模量子级联激光器线阵列结构，其特征在于，该结构包括：一 衬底；多个脊形单元，该多个脊形单元依序纵向制作在衬底上，形成脊形 结构列；一隔离层，该隔离层制作在多个脊形单元和衬底的表面，该隔离 层在该多个脊形单元的上表面为断开，形成电注入窗口；一上欧姆接触层， 该上欧姆接触层制作在隔离层以及电注入窗口上；一下欧姆接触层，该下 欧姆接触层制作在衬底的下表面。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院半导体研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100083北京市海淀区清华东路甲35号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810118963.6 【申请日】2008-08-27 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101662124A 【公开公告日】2010-03-03 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01S5/40; H01S5/22; H01S5/343; H01S5/00 【发明人】高瑜; 刘峰奇; 刘俊岐; 王占国 【主权项内容】1.一种单模量子级联激光器线阵列结构，其特征在于，该结构包括： 一衬底； 多个脊形单元，该多个脊形单元依序纵向制作在衬底上，形成脊形结 构列； 一隔离层，该隔离层制作在多个脊形单元和衬底的表面，该隔离层在 该多个脊形单元的上表面为断开，形成电注入窗口； 一上欧姆接触层，该上欧姆接触层制作在隔离层以及电注入窗口上； 一下欧姆接触层，该下欧姆接触层制作在衬底的下表面。 【当前权利人】中国科学院半导体研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华东路甲35号 【统一社会信用代码】12100000400012385U 【被引证次数】13 【被自引次数】7.0 【被他引次数】6.0 【家族被引证次数】13
