【摘要】 本发明公开了一种硅基双异质结可见盲紫外探测器及其制造方法。该器件结构包括：p-Si衬底；MgO绝缘层；n-ZnO基薄膜层；n型欧姆接触电极；p型欧姆接触电极。该器件的制备方法包括如下步骤：在清洁的Si衬底上用外延生长设备生长MgO绝缘层，并在MgO上生长n-ZnO基薄膜层；用公知的光刻技术和公知的金属薄膜沉积方法，在n-ZnO基薄膜层上沉积n型欧姆接触电极；在Si衬底背面沉积p型欧姆接触电极。利用这种方法，能够在廉价并且具有成熟集成工艺的半导体硅衬底上制备出高性能可见盲紫外光电探测器。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院物理研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100190 北京市海淀区中关村南三街8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810227958.9 【申请日】2008-12-03 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101409311B 【公开公告日】2010-04-21 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101409311B 【授权公告日】2010-04-21 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L31/109; H01L31/18 【发明人】张天冲; 郭阳; 梅增霞; 顾长志; 杜小龙 【主权项内容】 一种硅基双异质结可见盲紫外探测器，其特征在于，包括：p型Si(111)衬底，MgO绝缘层，n-ZnO基薄膜层，n型欧姆接触电极，p型欧姆接触电极；其中，MgO绝缘层、n-ZnO基薄膜层、n型欧姆接触电极依次设置在p型Si(111)衬底的正面，p型欧姆接触电极设置在p型Si(111)衬底的背面。 【当前权利人】中国科学院物理研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区中关村南三街8号 【统一社会信用代码】12100000400012174C 【引证次数】1.0 【被引证次数】1 【他引次数】1.0 【被自引次数】1.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】10
