【摘要】 本发明设计了一种应用于CeRAM的TMO材料，属于半导体集成电路设计和制造技术领域。本发明用于描述TMO材料在不同电压下表现的电阻行为特性，可以用于电路设计与仿真的工具软件。本发明可以良好的模拟TMO材料的电学行为，并可以方便的应用在电路仿真工具中，仿真速度快，收敛性好。同时本发明应用了新型的TMO材料和CeRAM单元，在国内外均属于新颖且空白的领域，有利于占据前沿技术中的领先地位。 【专利类型】发明授权 【申请人】清华大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100084 北京市100084-82信箱 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810116350.9 【申请日】2008-07-09 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101329701B 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101329701B 【授权公告日】2010-06-09 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G06F17/50 【发明人】贾泽; 章英杰; 王林凯; 任天令; 陈弘毅 【主权项内容】一种应用于CeRAM的TMO材料，其特征在于，所述TMO材料有TE和BE两个节点，一个描述TMO材料导通状态下电阻行为的非线性电阻元件Ron连接在TE和内部节点S1之间；一个描述TMO材料关断状态下电阻行为的非线性电阻元件Roff连接在TE和内部节点S2之间；一个选通Ron的电压控制开关Gs1连接在内部节点S1和BE之间，其控制电压输入点为CS1；一个选通Roff的控制开关Gs2连接在内部节点S2和BE之间，其控制电压输入点为CS2；控制电压源Ecs1连接在CS1上作为CS1控制信号电压，其电压输出由表达式V(Ecs1)＝2.5×Rs×abs{sgn[V(in+，in-)-vreset]+sgn[V(in+，in-)-vset]}决定，其中，初始电阻状态Rs是描述TMO材料初始状态的参数，重置电压vreset和设置电压vset是描述TMO材料行为的参数；控制电压源Ecs2连接在CS2上作为Gs2的控制信号电压，其电压输出由表达式V(Ecs2)＝5-V(Ecs1)决定；一个信号隔离电压源Esep的输入端连接到TE和BE，输出端为in+和in-，信号隔离电压源Esep是压控电压源，用于隔离输入电压和作为内部控制信号的电压，其控制输入为TE和BE两端的电压V(TE，BE)，其输出为V(in+，in-)＝V(TE，BE)，该电压是控制电压源Ecs1和Ecs2的控制信号。 【当前权利人】清华大学 【当前专利权人地址】北京市100084-82信箱 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000400000624D 【引证次数】4.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】4.0
