【摘要】 一种基于磁电效应的多铁性复合薄膜读取磁头，该读取磁头由生长在基片上的铁电氧化物层和磁性层构成。该读取磁头结构上有多种方案，包括生长在基片上的铁电氧化物层为第一层、磁性层为第二层，形成第一种结构单元；或生长在基片上的磁性层为第一层，铁电氧化物层为第二层，形成第二种结构单元；第一种结构单元在基片上重复堆叠；第二种结构单元在基片上重复堆叠；在基片上重复堆叠的第一种结构单元上面再堆叠一层铁电氧化物层；在基片上重复堆叠的第二种结构单元上面再堆叠一层磁性层以及在铁电氧化物基片上生长一层磁性层。该多铁性复合薄膜读取磁头与传统读取磁头相比具有无需外加偏置磁场、结构简单、无能耗等优点。。： 【专利类型】发明授权 【申请人】清华大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100084 北京市100084信箱82分箱清华大学专利办公室 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810103812.3 【申请日】2008-04-11 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101251997B 【公开公告日】2010-11-10 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101251997B 【授权公告日】2010-11-10 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G11B5/31 【发明人】南策文; 张毅; 马静; 邓朝勇; 李峥; 林元华 【主权项内容】一种基于磁电效应的多铁性复合薄膜读取磁头，其特征在于：所述的读取磁头采用多铁性磁电复合薄膜，该复合薄膜由生长在基片(303)上的铁电氧化物层(302)和磁性层(301)构成；所述的铁电氧化物层(302)采用钛酸钡(BaTiO3)、钛酸铅(PbTiO3)或锆钛酸铅(Pb(Zr，Ti)O3)；所述的磁性层(301)采用镍铁氧体(NiFe2O4)、钴铁氧体(CoFe2O4)或四氧化三铁，铁电氧化物层的厚度为5～110nm；磁性层的厚度为5～100nm。 【当前权利人】清华大学 【当前专利权人地址】北京市100084信箱82分箱清华大学专利办公室 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000400000624D 【家族被引证次数】8
