【摘要】 本发明公开了一种增加储存电容的像素结构及其制造方法。首先，于基板上形成第一图案化导体层，其包括栅极、电容电极以及数据线。接着，于基板上形成栅极绝缘层，以覆盖第一图案化导体层，并于栅极上方的栅极绝缘层上形成半导体通道层。然后，于栅极绝缘层以及半导体通道层上形成第二图案化导体层，其包括扫描线、共通电极线、源极与漏极。扫描线与栅极电性连接，共通电极线与电容电极部分重迭以构成第一储存电容。源极以及漏极分别与数据线及电容电极电性连接。随之，于基板上形成保护层，以覆盖第二图案化导体层。然后，于保护层上形成像素电极，其与漏极电性连接。 【专利类型】发明授权 【申请人】友达光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810000493.3 【申请日】2008-01-14 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101217131B 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101217131B 【授权公告日】2010-06-09 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/84; H01L21/768; H01L27/12; H01L23/522; G02F1/1362 【发明人】黄国有; 张格致 【主权项内容】一种像素结构的制造方法，其特征在于，包括：形成一第一图案化导体层于一基板上，该第一图案化导体层包括一栅极、一电容电极以及一数据线；形成一栅极绝缘层于该基板上，以覆盖该第一图案化导体层；形成一半导体通道层于该栅极上方的该栅极绝缘层上；形成一第二图案化导体层于该栅极绝缘层以及该半导体通道层上，该第二图案化导体层包括一扫描线、一共通电极线、一源极与一漏极，其中该扫描线与该栅极电性连接，该共通电极线与该电容电极部分重迭以构成一第一储存电容，该源极与该漏极位于该半导体通道层上，而该源极电性连接该数据线，且该漏极与该电容电极电性连接；形成一保护层于该基板上，以覆盖该第二图案化导体层；形成一像素电极于该保护层上，且该像素电极与该漏极电性连接；以及该像素电极与该共通电极线部分重迭，以构成一第二储存电容。 【当前权利人】友达光电股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹 【引证次数】5.0 【自引次数】2.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】12
