【摘要】 一种内容可寻址存储器，包含一第一内容可寻址存储单元及一第二内 容可寻址存储单元。该第一内容可寻址存储单元储存一第一数据位，并比 较该第一数据位与一第一搜寻位以决定是否匹配。该第二内容可寻址存储 单元储存一第二数据位，并比较该第二数据位与一第二搜寻位以决定是否 匹配。其中，该第一内容可寻址存储单元包含一第一逻辑电路，该第二内 容可寻址存储单元包含一第二逻辑电路，且该第一逻辑电路与该第二逻辑 电路形成一静态互补式金属氧化物半导体逻辑电路。 【专利类型】发明申请 【申请人】瑞昱半导体股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810137731.5 【申请日】2008-07-18 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101630529A 【公开公告日】2010-01-20 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101630529B 【授权公告日】2012-03-21 【授权公告年份】2012.0 【发明人】江明澄 【主权项内容】1.一种内容可寻址存储器，包含： 一第一内容可寻址存储单元，包含： 一第一数据存储单元，用以储存一第一数据位；以及 一第一比较电路，耦接至该第一数据存储单元，用以比较该第一数据 位与一第一搜寻位以决定是否匹配；以及 一第二内容可寻址存储单元，包含： 一第二数据存储单元，用以储存一第二数据位；以及 一第二比较电路，耦接至该第二数据存储单元，用以比较该第二数据 位与一第二搜寻位以决定是否匹配； 其中，该第一比较电路包含一第一逻辑电路；该第二比较电路包含一 第二逻辑电路；以及该第一逻辑电路与该第二逻辑电路形成一静态互补式 金属氧化物半导体逻辑电路。 【当前权利人】瑞昱半导体股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学园区 【被引证次数】2 【被自引次数】2.0 【家族被引证次数】2
