【摘要】 本发明公开了一次性可编程存储器电路及其编程读取方法，该一次性可编程存储器电路包括存储单元阵列、电荷泵、字线译码模块、编程位线译码模块、编程选择模块、读隔离模块、读取位线译码模块和读取选择模块。通过读隔离模块来避免数据编程时编程位线上高电压将与读取位线连接的晶体管击穿，从而有效地防止数据编程操作时产生的高电压对数据读取操作造成的影响，提高了一次性可编程存储器的编程和读取的可靠性。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京芯技佳易微电子科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100084 北京市海淀区清华科技园学研大厦B座301室 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810119307.8 【申请日】2008-09-02 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101359509B 【公开公告日】2010-06-02 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101359509B 【授权公告日】2010-06-02 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G11C17/00; G11C17/08 【发明人】朱一明; 刘奎伟 【主权项内容】一种一次性可编程存储器电路，其特征在于，包括：存储单元阵列，用于存储数据；电荷泵，用于提供预定电压；字线译码模块，用于接收预定电压并选择存储单元阵列中需要进行数据编程或数据读取的存储单元的字线；编程位线译码模块，用于接收预定电压并确定存储单元阵列中需要进行数据编程的存储单元的编程位线地址；编程选择模块，用于接收预定电压并根据编程位线地址选择与该编程位线地址对应的存储单元，将预定电压传送至该存储单元的位线上进行数据编程；读隔离模块，设置于存储单元阵列和读取选择模块之间，用于将数据编程和数据读取隔离；读取位线译码模块，用于确定存储单元阵列中需要进行数据读取的存储单元的读取位线地址；读取选择模块，用于根据读取位线地址选择与该读取位线地址对应的存储单元，读取存储在存储单元中的数据。。： 【当前权利人】兆易创新科技集团股份有限公司 【当前专利权人地址】北京市海淀区丰豪东路9号院8号楼1至5层101 【引证次数】5.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】5
