【摘要】 本发明涉及集成电路领域，特别涉及一种由单端口存储器实现虚拟多端口存储器的方法及装置，虚拟多端口存储器的主要应用限定在各端口之间交换大量连续的数据。本发明的虚拟多端口存储器(端口数NP≥2)包括NP个单端口存储器、NP个和端口对应的写缓存器和读缓存器，以及控制单元。NP个单端口存储器轮流接受NP个端口的访问，每次访问接收/送出NP个周期的数据，从而保证各端口数据传输的码率。本发明可以采用低成本的单元端口存储器在特定应用中替代高成本的多端口存储器，从而节省成本。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京炬力北方微电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100083 北京市海淀区知春路27号1601室 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810117510.1 【申请日】2008-07-31 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101350218B 【公开公告日】2010-07-07 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101350218B 【授权公告日】2010-07-07 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G11C7/10 【发明人】庄志伟 【主权项内容】一种虚拟多端口存储器，其特征在于，所述虚拟多端口存储器包括控制单元、至少两个端口、至少两个单端口存储器、至少两个写缓存器和至少两个读缓存器，其中，所述单端口存储器的数量和端口数量相同，所述写缓存器的数量和端口数量相同，一个所述写缓存器同一个所述端口相对应，所述写缓存器包括多个缓存单元，所述读缓存器与所述端口数量相同，一个所述读缓存器同一个所述端口相对应，所述读缓存器包括多个缓存单元；所述控制单元，用于根据其中一个端口的包含写地址的写指令，控制所述写缓存器将所述其中一个端口的数据存储到与所述写地址对应的缓存单元，在所述单端口存储器接受所述其中一个端口访问时，控制所述单端口存储器存储所述写缓存器的数据，以及根据其中一个端口的包含读地址的读指令，在所述单端口存储器接受所述其中一个端口访问时，控制所述单端口存储器将存储的数据发送给所述读缓存器，在所述单端口存储器送出所述其中一个端口的数据时，控制所述读缓存器将第一读潜伏期之前端口发送的读指令中的读地址所对应的缓存单元的数据，向所述其中一个端口发送；与所述其中一个端口相对应的所述写缓存器，用于在所述控制单元的控制下，存储所述其中一个端口的数据，在所述单端口存储器接受所述其中一个端口访问时，在一个周期内将存储的所述其中一个端口的数据发送给对应的所述单端口存储器；与所述其中一个端口相对应的所述读缓存器，用于在所述控制单元的控制下，存储收到的数据，并将所述第一读潜伏期之前，端口发送的读指令中的读地址所对应的缓存单元的数据，向端口发送；所述单端口存储器，用于在所述控制单元的控制下，存储所述写缓存器的数据，或发送存储的数据。。 （，） 【当前权利人】北京炬力北方微电子股份有限公司 【当前专利权人地址】北京市海淀区花园东路10号7层701号 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳与境内合资) 【统一社会信用代码】911101087832016762 【家族被引证次数】8
