【摘要】 本发明提供了一种用于碳化硅的欧姆电极结构，包括在衬底碳化硅(1)上依次形成的第一层钽(Ta)膜(2)、第二层铂(Pt)膜(3)和第三层钽(Ta)膜(4)的欧姆电极，其中，第一层钽膜(2)的厚度为20-40nm，第二层铂膜(3)的厚度为20-60nm，第三层钽膜(4)的厚度为10-30nm。本发明还提供了一种用于碳化硅的欧姆电极结构的制造方法。本发明的欧姆电极结构在900-1200℃之间退火后可获得理想一致、接触电阻低的欧姆接触，减少了形成欧姆接触的退火过程中带来的接触层中多余的碳原子对电学性能的损害，并提供了改善的表面形貌，提高了电极稳定性。 （，） 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院物理研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100190 北京市海淀区中关村南三街8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810104843.0 【申请日】2008-04-24 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101567383B 【公开公告日】2010-10-13 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101567383B 【授权公告日】2010-10-13 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L29/45; H01L29/417; H01L23/482; H01L21/28 【发明人】陈小龙; 杨慧; 彭同华; 王文军; 王皖燕 【主权项内容】一种用于碳化硅的欧姆电极结构的制造方法，所述欧姆电极结构包括在衬底碳化硅(1)上依次形成的第一层钽(Ta)膜(2)、第二层铂(Pt)膜(3)和第三层钽(Ta)膜(4)的欧姆电极，其中，第一层钽膜(2)的厚度为20-40nm，第二层铂膜(3)的厚度为20-60nm，第三层钽膜(4)的厚度为10-30nm，该方法包括以下步骤：1)衬底清洗分别用10％HF，10％HCl和丙酮超声清洗SiC晶片，清洗时间为5-10分钟，然后用去离子水清洗，最后用N2吹干，以清除表面杂质；2)制作电极掩膜板采用紫外曝光技术，在SiC晶片表面制作预期的圆形传输线电极图案；3)形成电极膜在步骤2)获得的SiC晶片上依次形成第一层Ta膜、第二层Pt膜和第三层Ta膜的欧姆电极，第一层Ta膜的厚度为20-40nm，第二层Pt膜的厚度为20-60nm，第三层Ta膜的厚度为10-30nm；4)剥离利用丙酮及超声剥离方法清洗样品，并将多层膜上不需要的部分剥离，得到预期的测试电极；5)退火将步骤4)获得的样品置于真空退火炉中于Ar气氛下或真空中进行热处理，真空度大于10-3Pa，热处理温度在900℃～1200℃之间，退火时间从1分钟到10分钟；退火结束后降低衬底温度至室温即得。 【当前权利人】北京天科合达半导体股份有限公司 【当前专利权人地址】北京市大兴区中关村科技园区大兴生物医药产业基地天荣大街9号2幢301室 【统一社会信用代码】12100000400012174C 【引证次数】2.0 【被引证次数】2 【他引次数】2.0 【被自引次数】2.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】11
