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一种增加区熔单晶炉运行时单晶稳定性的方法及装置专利

发布时间:2026-06-16

【摘要】 一种增加区熔单晶炉运行时单晶稳定性的方法及装置,该方法是通过夹持装置与运行中的单晶实体接触,对单晶提供支持力用于消除单晶运行时,晃动和倒伏的现象,所述的与运行中的单晶实体接触的是夹持针,该夹持针与夹持牵引系统、夹持基座组成夹持装置。本发明的优点是:增加设备运行中单晶的稳定性的同时,又不影响单晶体生长的外部环境和工艺条件,这就意味着该方法可以在整体流程不变的情况下,提高了单晶生长环节中的单晶体的稳定性以及单晶完整率。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京有色金属研究总院; 有研半导体材料股份有限公司; 国泰半导体材料有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100088北京市新街口外大街2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】西城区 【申请号】CN200810246877.3 【申请日】2008-12-26 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101768773A 【公开公告日】2010-07-07 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】C30B13/00 【发明人】谷宇恒; 梁书正; 赵洋 【主权项内容】一种增加区熔单晶炉运行时单晶稳定性的方法,其特征在于:通过夹持装置与运行中的单晶实体接触,对单晶提供必要的支持力用于消除单晶运行时,晃动和倒伏的现象。 【当前权利人】有研半导体材料股份有限公司; 国泰半导体材料有限公司 【当前专利权人地址】北京市西城区新街口外大街2号; 【专利权人类型】股份有限公司; 有限责任公司(法人独资) 【统一社会信用代码】; 【被引证次数】4 【被他引次数】4.0 【家族被引证次数】4

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  • 【摘要】本发明公开一种生成真随机数的方法,该方法对二进制真随机数序列 发生装置输出的二进制随机数序列进行如下处理:a)获取所述二进制随 机数序列中的一个片段,该片段中,首位和末位为0或1中的一个,而其 余位都为0或1中的另一个;b)根据所述
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